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2N2906

更新时间: 2024-01-13 22:44:30
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恩智浦 - NXP 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
PNP switching transistors

2N2906 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.59Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

2N2906 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
2N2906; 2N2906A  
PNP switching transistors  
1997 Jun 02  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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