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1N4446/A52R

更新时间: 2024-02-22 07:51:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 46K
描述
DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SC-40, 2 PIN, Signal Diode

1N4446/A52R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.5
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4446/A52R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
1N4148; 1N4446; 1N4448  
High-speed diodes  
1996 Sep 03  
Product specification  
Supersedes data of April 1996  
File under Discrete Semiconductors, SC01  

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