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1N4150T/R

更新时间: 2024-02-04 00:50:05
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 57K
描述
DIODE 0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

1N4150T/R 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL

1N4150T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
1N4150; 1N4151  
High-speed diodes  
1999 Jun 01  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Sep 03  

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