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1N4005IDT/R

更新时间: 2024-01-22 21:57:10
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 33K
描述
1A, 600V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4005IDT/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.1
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4005IDT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
1N4001ID to 1N4007ID  
Rectifiers  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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