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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 逻辑集成电路类型： | OR-AND GATE |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | -5.2 V | 最大电源电流（ICC）： | 29 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 3.9 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 子类别： | Gates |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ECL10K |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 10119F-B | ETC | OR-AND Gate |
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| 10119N | NXP | 4-Wide 4-3-3-3-Input OR-AND Gate |
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| 10119N-B | ETC | OR-AND Gate |
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| 1011LD110 | ADPOW | 110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET |
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| 1011LD110A | MICROSEMI | 110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET |
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| 1011LD110A | NXP | RF Manual 16th edition |
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