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PUA3173P PDF预览

PUA3173P

更新时间： 2024-02-08 04:13:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SIP-8

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PUA3173P 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：SIP-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSIP-T8元件数量：3
端子数量：8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

PUA3173P 数据手册

 浏览型号PUA3173P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PUA3173P的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistor Arrays  
PUA3173 (PU3173)  
Silicon NPN triple diffusion planar type darlington  
For power amplification  
Unit: mm  
Complementary to PUA3273 (PU3273)  
20.2 0.3  
4.0 0.2  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE  
• High-speed switching  
• NPN 3 elements  
0.8 0.25  
0.5 0.15  
0.5 0.15  
1.0 0.25  
2.54 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
7 × 2.57 = 17.78 0.25  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
C 1.5 0.5  
1: Emitter  
2: Base  
3: Collector  
4: Base  
5: Collector  
6: Base  
150  
100  
V
1
2 3 4 5 6 7 8  
5
V
4
A
7: Collector  
8: Emitter  
Peak collector current  
ICP  
8
15  
A
SIP8-A1 Package  
Collector power dissipation  
Ta = 25°C  
PC  
W
2.4  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IC = 10 mA, IB = 0  
100  
VCB = 150 V, IE = 0  
VCE = 80 V, IB = 0  
VEB = 5 V, IC = 0  
VCE = 4 V, IC = 2 A  
VCE = 4 V, IC = 4 A  
100  
100  
µA  
µA  
mA  
ICEO  
IEBO  
5
*
hFE1  
1000  
500  
10000  
hFE2  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = 4 A, IB = 16 mA  
VBE(sat) IC = 4 A, IB = 16 mA  
2.5  
2.5  
V
V
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 1 MHz  
20  
MHz  
µs  
IC = 4 A  
0.27  
2.9  
Storage time  
IB1 = 16 mA, IB2 = −16 mA  
VCC = 50 V  
µs  
Fall time  
1.0  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Free  
P
Q
hFE  
1000 to 10000 2000 to 10 000 1000 to 5000  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: March 2004  
SJK00019AED  
1
123

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