2SB0931

更新时间： 2024-01-23 06:27:26

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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4页	85K
描述
For Power Switching

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2SB0931 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0931 数据手册

Power Transistors

2SB0931 (2SB931)

Silicon PNP epitaxial planar type

For Power switching

Unit: mm

8.5 0.2

6.0 0.2

3.4 0.3

1.0 0.1

Complementary to 2SD1254

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Large collector current I_C

• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

0 to 0.4

R = 0.5

1.0 0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

5.08 0.5

(8.5)

(6.0)

1.3

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

(6.5)

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−130

1: Base

2: Collector

3: Emitter

−80

−7

N-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−3

Note) Self-supported type package is also prepared.

Peak collector current

Collector power dissipation

−6

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−80

V_CB= −100 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−10

−50

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= − 0.5 A

h_FE2

260

−1.5

− 0.5

Base-emitter voltage

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_BE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.1 A

V_CE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.1 A

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

0.3

1.1

0.3

MHz

µs

I_C= − 0.5 A,

Storage time

I_B1= −50 mA, I_B2= 50 mA

V_CC= −50 V

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: April 2003

SJD00013BED

12 3 4

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2SB0931P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-221VAR	获取价格
2SB0931Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-221VAR	获取价格
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