2SB0790

更新时间： 2024-02-26 18:40:47

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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描述
For Low-Frequency Output Application

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2SB0790 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0790 数据手册

Transistors

2SB0790 (2SB790)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

(1.0)

(1.5)

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R 0.9

R 0.7

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(0.85)

0.55 0.1

0.45 0.05

Parameter

Symbol

Rating

−25

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−20

−7

1: Base

(2.5) (2.5)

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

− 0.5

−1

2: Collector

3: Emitter

M-A1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

600

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−25

−20

−7

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −25 V, I_E= 0

V_CE= −20 V, I_B= 0

V_CE= −2 V, I_C= − 0.5 A

V_CE= −2 V, I_C= −1 A

− 0.1

−1

µA



I_CEO

Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

220



Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

− 0.4

−1.2

Base-emitter saturation voltage ^*

Transition frequency

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

90 to 155

130 to 220

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: January 2003

SJC00057BED

12 3

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