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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB0767
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2SB0767

更新时间： 2024-02-05 11:53:13
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SB0767 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：185JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SB0767 数据手册

 浏览型号2SB0767的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SB767  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Complementary to 2SD875  
Unit: mm  
1.5±0.1  
4.5±0.1  
1.6±0.2  
Features  
Large collector power dissipation PC.  
■
●
●
High collector to emitter voltage VCEO  
.
●
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
45°  
0.4±0.08  
0.4±0.04  
0.5±0.08  
1.5±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
3.0±0.15  
3
2
1
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
marking  
–80  
V
–5  
V
–1  
– 0.5  
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–62  
Mini Power Type Package  
IC  
A
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Marking symbol : C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = –20V, IE = 0  
C = –10µA, IE = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
– 0.1  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I
–80  
–80  
–5  
IC = –100µA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = –10V, IC = –150mA*2  
VCE = –5V, IC = –500mA*2  
IC = –300mA, IB = –30mA*2  
IC = –300mA, IB = –30mA*2  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
90  
330  
Forward current transfer ratio  
50  
100  
– 0.2  
– 0.85  
120  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
–0.4  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
20  
30  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
Rank  
FE1  
Q
R
S
185 ~ 330  
CS  
hFE1  
Marking Symbol  
90 ~ 155  
CQ  
130 ~ 220  
CR  
1
12

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