2SB0726

更新时间： 2024-02-29 05:08:59

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For general amplification

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2SB0726 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	360	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0726 数据手册

Transistor

2SB0726 (2SB726)

Silicon PNP epitaxial planer type

For general amplification

Unit: mm

Features

High foward current transfer ratio h_FE

ꢀ

High collector to emitter voltage V_CEO

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

ꢀ

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–80

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–80

–5

–100

250

˚C

1:Emitter

2:Collector

3:Base

EIAJ:SC–43A

TO-92-A1 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

ꢀ

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–1

Unit

µA

V_CB= –10V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= –10V, I_B= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–80

–5

I_C= –2mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CB= –5V, I_E= –2mA

I_C= –20mA, I_B= –2mA

V_CE= –1V, I_C= –100mA

V_CB= –5V, I_E= 2mA, f = 200MHz

180

700

– 0.6

–1.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter voltage

Transition frequency

V_BE

f_T

–1

150

MHz

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

180 ~ 360

260 ~ 520

360 ~ 700

Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.

184

12 3

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