2SA886

更新时间： 2024-02-04 05:42:31

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary)

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2SA886 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA886 数据手册

Power Transistors

2SA0886 (2SA886)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SC1847

Unit: mm

+0.5

–0.1

8.0

3.2 0.2

φ 3.16 ^0.1

■ Features

• Output of 4 W can be obtained by a complementary pair with

2SC1847

• TO-126B package which requires no insulation plate for installa-

tion to the heat sink

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−50

Unit

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

0.5 0.1

1.76 0.1

−40

1: Emitter

2: Collector

3: Base

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−1.5

TO-126B-A1 Package

Peak collector current

−3

1.2

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

−50

−40

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −1 mA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

V_CE= −5 V, I_C= −1 A

−1

µA



I_CEO

−100

−10

I_EBO

h_FE

220

V_CE(sat)I_C= −1.5 A, I_B= − 0.15 A

V_BE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.2 A

−1.0

−1.5

f_T

V_CB= −5 V, I_E= 0.5 A, f = 200 MHz

V_CB= −20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

80 to 160

120 to 220

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: February 2003

SJD00003BED

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA886P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
2SA886Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
2SA886R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
2SA887	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA887	PANASONIC	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR	获取价格
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