2SA879

更新时间： 2024-01-10 05:47:10

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松下 - PANASONIC		/
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4页	93K
描述
For general amplification Complementary to 2SC1573

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2SA879 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SA879 数据手册

Transistors

2SA0879 (2SA879)

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplification

Unit: mm

5.9 0.2

4.9 0.2

Complementary to 2SC1573

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−250

−200

−5

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

+0.2

0.45

+0.2

–0.1

0.45

–0.1

(1.27)

1 : Emitter

−70

2 : Collector

3 : Base

Peak collector current

I_CP

−100

EIAJ : SC-51

2.54 0.15

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

TO-92L-A1 Package

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

h_FE

Conditions

Min

−200

−5

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −100 µA, I_B= 0

I_E= −1 µA, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

220



V_CE(sat)I_C= −50 mA, I_B= −5 mA

−1.5

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

60 to 150

100 to 220

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: November 2002

SJC00006BED

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