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2SA838B

更新时间： 2024-01-17 04:48:17

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2SA838B 数据手册

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Transistor

2SA838

Silicon PNP epitaxial planer type

For high-frequency amplification

Complementary to 2SC1359

Unit: mm

4.0±0.2

5.0±0.2

Features

High transition frequency f_T.

■

●

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–30

Unit

V

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

0.45–⁺0⁰.^.1²

0.45–⁺0⁰.^.1²

–20

V

1.27

1.27

–5

V

–30

mA

mW

˚C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

250

1 2 3

1:Emitter

T_j

150

2:Collector

3:Base

JEDEC:TO–92

EIAJ:SC–43A

2.54±0.15

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

I_CEO

I_EBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

V_CB= –10V, I_E= 0

– 0.1

–100

–10

Collector cutoff current

V_CE= –20V, I_B= 0

Emitter cutoff current

V_EB= –5V, I_C= 0

µA

*

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –10V, I_C= –1mA

I_C= –10mA, I_B= –1mA

V_CE= –10V, I_C= –1mA

70

220

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

– 0.1

– 0.7

300

2.8

V

V

Base to emitter voltage

Transition frequency

Noise figure

V_BE

f_T

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 200MHz

150

MHz

dB

Ω

NF

Z_rb

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 5MHz

V_CE= –10V, I_C= –1mA, f = 2MHz

4.0

50

Reverse transfer impedance

Common emitter reverse transfer

capacitance

22

V_CE= –10V, I_C= –1mA,

C_re

1.2

2.0

pF

f = 10.7MHz

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

B

C

70 ~ 140

110 ~ 220

1

12

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