2SA838

更新时间： 2024-02-26 22:42:13

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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3页	54K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)

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2SA838 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.91	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SA838 数据手册

Transistor

2SC1359

Silicon NPN epitaxial planer type

For high-frequency amplification

Complementary to 2SA838

Unit: mm

4.0±0.2

5.0±0.2

Features

■

●

Optimum for RF amplification of FM/AM radios.

●

High transition frequency f_T.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

0.45–⁺0⁰.^.1²

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1.27

˚C

1 2 3

1:Emitter

2:Collector

3:Base

JEDEC:TO–92

EIAJ:SC–43A

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

2.54±0.15

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

0.1

Unit

Collector cutoff current

Forward current transfer ratio

Transition frequency

Noise figure

V_CB= 10V, I_E= 0

µA

h_FE

f_T

V_CB= 10V, I_E= –1mA

220

V_CB= 10V, I_E= –1mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= –1mA, f = 5MHz

150

250

2.8

MHz

Ω

Z_rb

Reverse transfer impedance

_CB= 10V, I_E= –1mA, f = 2MHz

1.5

Common emitter reverse transfer capacitance C_re

V_CE= 10V, I_C= 1mA, f = 10.7MHz

0.9

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

70 ~ 140

110 ~ 220

12 3

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