2SA777R

更新时间： 2024-02-12 22:19:17

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松下 - PANASONIC		晶体驱动器小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN

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2SA777R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA777R 数据手册

Transistor

2SA777

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency driver amplification

Complementary to 2SC1509

Unit: mm

5.9±0.2

4.9±0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30W

output amplifier.

0.7±0.1

2.54±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–80

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

–5

0.45⁺–0⁰.^.1²

1.27

–1

1:Emitter

I_C

– 0.5

750

2:Collector

3:Base

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

EIAJ:SC–51

TO–92L Package

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CB= –20V, I_E= 0

– 0.1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–80

–5

I_C= –100µA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= –10V, I_C= –150mA

V_CE= –5V, I_C= –500mA

I_C= –300mA, I_B= –30mA

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 100MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

220

Forward current transfer ratio

h_FE2

100

– 0.2

– 0.85

120

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.4

–1.2

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

12 3

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