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2SA777

更新时间： 2024-02-23 02:04:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体驱动器小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 82K
描述
For low-frequency driver amplification Complementary

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2SA777 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：130
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SA777 数据手册

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Transistors  
2SA0777 (2SA777)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-frequency driver amplification  
Complementary to 2SC1509  
Unit: mm  
5.9 0.2  
4.9 0.2  
■ Features  
• High collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
• Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 W to 30 W  
output amplifier.  
0.7 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
+0.2  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
−80  
0.45  
+0.2  
–0.1  
0.45  
–0.1  
−80  
V
(1.27)  
(1.27)  
1 : Emitter  
−5  
V
2 : Collector  
3 : Base  
1
2
3
− 0.5  
A
EIAJ : SC-51  
TO-92L-A1 Package  
2.54 0.15  
Peak collector current  
ICP  
−1  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
1
W
°C  
°C  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
−80  
−80  
−5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
IC = −10 µA, IE = 0  
IC = −100 µA, IB = 0  
V
IE = −1 µA, IC = 0  
V
VCB = −20 V, IE = 0  
− 0.1  
µA  
1
2
*
Forward current transfer ratio *  
hFE1  
hFE2  
VCE = −10 V, IC = −150 mA  
VCE = −5 V, IC = −500 mA  
90  
50  
220  
100  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = −500 mA, IB = −50 mA  
VBE(sat) IC = −500 mA, IB = −50 mA  
− 0.2 − 0.4  
− 0.85 −1.2  
120  
V
V
fT  
VCB = −10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
11  
20  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Palse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
Q
R
hFE1  
90 to 155  
130 to 220  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: November 2002  
SJC00004BED  
1
1234

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