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2SA2174J

更新时间： 2024-02-04 10:29:00
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 531K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, 3 PIN

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2SA2174J 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SA2174J 数据手册

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Transistors  
2SA2174J  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SC6054J  
+0.05  
–0.03  
1.60  
+0.03  
–0.01  
0.12  
1.00±0.05  
Features  
3
High forward current transfer ratio hFE  
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic  
insertion through the tape packing.  
1
2
0.27±0.02  
(0.50)(0.50)  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
5°  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
−60  
Unit  
V
V
−50  
V
−7  
1: Base  
2: Emitter  
mA  
mA  
mW  
°C  
−100  
−200  
3: Collector  
SSMini3-F1 Package  
Peak collector current  
ICP  
Marking Symbol: 7L  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
125  
Tj  
125  
Storage temperature  
T
stg  
−55 to +125  
°C  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−60  
−50  
− 7  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Forward current transfer ratio  
VCBO IC = −10 µA, IE = 0  
VCEO IC = −2 mA, IB = 0  
VEBO IE = −10 µA, IC = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
hFE  
VCB = −20 V, IE = 0  
VCE = −10 V, IB = 0  
VCE = −10 V, IC = −2 mA  
− 0.1  
−100  
460  
µA  
µA  
160  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = −100 mA, IB = −10 mA  
V
− 0.2  
− 0.5  
fT  
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
80  
MHz  
Collectoroutputcapacitance  
Cob  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
2.2  
pF  
(Commonbase, inputopencircuited)  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2005  
SJC00342AED  
1
123

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