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2SA2164

更新时间： 2024-02-06 10:37:01
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 456K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification

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2SA2164 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

2SA2164 数据手册

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Transistors  
2SA2164  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For high-frequency amplification  
Unit: mm  
+0.05  
–0.02  
+0.05  
0.10  
–0.02  
0.33  
Features  
3
High transfer ratio fT  
SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment andꢀ  
automatic insertion through the tape packing.  
+0.05  
1
2
0.23  
–0.02  
(0.40)(0.40)  
0.80±0.05  
1.20±0.05  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
5°  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–30  
Unit  
V
–20  
V
–5  
V
–30  
mA  
mW  
°C  
°C  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
100  
SSSMini3-F1 Package  
Tj  
125  
Marking Symbol : E  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +125  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Base-emitter voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VBE  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCE = –10 V, IC = –1 mA  
VCB = –10 V, IE = 0  
VCE = –20 V, IB = 0  
VEB = –5 V, IC = 0  
– 0.7  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cut-off current (Base open)  
Emitter-base cut-off current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
– 0.1  
–100  
–10  
µA  
µA  
µA  
VCB = –10 V, IE = 1 mA  
70  
220  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = –1 mA  
– 0.1  
300  
2.8  
V
fT  
VCB = –10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
150  
MHz  
dB  
Ω
Noise figure  
NF  
Zrb  
Cre  
VCB = –10 V, IE = 1 mA, f = 5 MHz  
VCB = –10 V, IE = 1 mA, f = 2 MHz  
VCB = –10 V, IE = 1 mA, f = 10.7 MHz  
Reverse transfer impedance  
22  
Common-emitter reverse transfer capacitance  
1.2  
pF  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date : December 2004  
SJC00330AED  
1
123

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