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2SA2163

更新时间： 2024-01-24 01:57:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 330K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.60 X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRAMINIATURE, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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2SA2163 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-XBCC-N3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

2SA2163 数据手册

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Transistors  
2SA2163  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For high frequency amplification  
Unit: mm  
Features  
High transition frequency fT  
3
2
1
Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for  
Ultraminiature leadless package  
0.6 mm
×
1.0 mm (height 0.39 mm)  
+0.01  
0.39  
1.00±0.05  
−0.03  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
0.25±0.05  
0.25±0.051  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
−
30  
Unit  
V
2
3
V
−
20  
0.65±0.01  
0.05±0.03  
V
−
5  
mA  
mW  
°
C  
°
C  
−
30  
1: Base  
2: Emitter  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
100  
3: Collector  
ML3-N2 Package  
Tj  
125  
Marking Symbol: 6J  
Storage temperature  
T
stg  
−
55 to +125  
Electrical Characteristics T
a
= 25
°
C±3
°
C  
Parameter  
Base-emitter voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VBE  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
V
CE
−
10 V, IC
−
1 mA  
VCB
−
10 V, I
E
= 0  
−
0.7  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
−
0.1  
−
100  
−
10  
µA  
µA  
µA  
V
CE
−
20 V, IB = 0  
VEB
−
5 V, IC = 0  
V
CE
−
10 V, IC −1 mA  
70  
220  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC
−
10 mA, IB
−
1 mA  
V
−
0.1  
300  
2.8  
fT  
VCB
−
10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
150  
MHz  
dB  
Ω
Noise figure  
NF  
Zrb  
Cre  
VCB
−
10 V, IE = 1 mA, f = 5 MHz  
VCB
−
10 V, IE = 1 mA, f = 2 MHz  
VCB
−
10 V, IE = 1 mA, f = 10.7 MHz  
4.0  
50  
Reverse transfer impedance  
22  
Reversetransfercapacitance(Commonemitter)  
1.2  
2.0  
pF  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: May 2005  
SJC00336AED  
1
123

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