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2SA2162

更新时间： 2024-02-09 00:38:37

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松下 - PANASONIC		/
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3页	417K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA2162 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	270	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

2SA2162 数据手册

Transistors

2SA2162

Silicon PNP epitaxial planar type

For general ampliﬁcation

Unit: mm

Complementary to 2SC6036

+0.05

−0.02

+0.05

0.10

−0.02

0.33

 Features

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic

insertion through the tape packing

+0.05

0.23

−0.02

(0.40)(0.40)

0.80±0.05

1.20±0.05

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

5°

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–15

Unit

–12

–5

–500

–1

1: Base

2: Emitter

3: Collecter

Peak collector current

I_CP

SSSMini3-F1 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

100

°C

Marking Symbol : 2U

T_j

125

Storage temperature

stg

–55 to +125

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

–15

–12

–5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio

V_CBOI_C= –10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= –1 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= –10 µA, I_C= 0

I_CBO

h_FE

V_CB= –10 V, I_E= 0

– 0.1

680

µA



V_CE= –2 V, I_C= –10 mA

270

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= –200 mA, I_B= –10 mA

–250

MHz

f_T

V_CB= –2 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

200

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= –10 V, f = 1 MHz

4.5

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date : December 2004

SJC00323AED

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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