2SA2140Q

更新时间： 2024-02-11 14:14:43

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	73K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220D-A1, 3 PIN

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2SA2140Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220D-A1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.76	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2140Q 数据手册

Power Transistors

2SA2140

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

4.6 0.2

For power amplification

For TV VM circuit

9.9 0.3

2.9 0.2

φ 3.2 0.1

■ Features

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• High transition frequency (f_T)

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw.

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

0.8 0.1

0.55 0.15

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2.54 0.30

5.08 0.50

Parameter

Symbol

Rating

−180

−6

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Collector

3: Emitter

TO-220D-A1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−1.5

Internal Connection

Peak collector current

Collector power dissipation

−3

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −10 mA, I_B= 0

−180

V_CB= −180 V, I_E= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

−100

240

µA



I_EBO

h_FE

V_CE= −5 V, I_C= − 0.1 A

V_CE(sat)I_C= −1 A, I_B= − 0.1 A

− 0.5

f_T

V_CE= −10 V, I_C= − 0.2 A, f = 10 MHz

100

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Storage time

Fall time

t_on

t_stg

t_f

I_C= − 0.4 A, Resistance loaded

I_B1= 0.04 A, I_B2= − 0.04 A

V_CC= 100 V

0.1

1.0

0.1

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

60 to 140

120 to 240

Publication date: July 2004

SJD00316AED

12 3

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