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2SA2122

更新时间： 2024-01-03 19:02:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 307K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, 3 PIN

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2SA2122 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SA2122 数据手册

 浏览型号2SA2122的Datasheet PDF文件第2页 
Transistors  
2SA2122  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For general amplification  
Unit: mm  
–0.05  
Complementary to 2SC5950  
+0.10  
+0.1  
–0.0  
0.15  
0.3  
3
Features  
High forward current transfer ratio hFE  
Smini typ package, allowing downsizing of the equipment andꢀautomatic  
insertion through the tape packing  
1
2
(0.65) (0.65)  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
1.3±0.1  
2.0±0.2  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
−
60  
Unit  
V
10°  
V
−
50  
V
−
7  
mA  
mA  
mW  
°
C  
−
100  
−
200  
150  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Peak collector current  
ICP  
SMini3-G1 Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
Marking Symbol: 7L  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
−
55 to +150  
°
C  
Electrical Characteristics T
a
= 25
°
C±3
°
C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−
60  
−
50  
−
7  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Forward current transfer ratio  
VCBO IC
−
10 µA, I
E
= 0  
VCEO IC
−
2 mA, IB = 0  
VEBO I
E
−
10 µA, IC = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
hFE  
VCB
−
20 V, I
E
= 0  
V
CE
−
10 V, IB = 0  
V
CE
−
10 V, IC
−
2 mA  
−
0.1  
−
100  
460  
µA  
µA  
160  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC
−
100 mA, IB
−
10 mA  
V
−
0.2  
−
0.5  
fT  
VCB
−
10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
80  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB
−
10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
2.2  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: May 2005  
SJC00332AED  
1
12

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