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2SA2118

更新时间： 2024-02-29 10:17:12
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
Power Transistors Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA2118 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220D-A1, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.57外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：180 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHz

2SA2118 数据手册

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Power Transistors  
2SA2118  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
4.6 0.2  
For TV vertical deflection output  
9.9 0.3  
2.9 0.2  
■ Features  
φ 3.2 0.1  
• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
• Dielectric breakdown voltage of the package: 5 kV  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one  
screw.  
1.4 0.2  
1.6 0.2  
2.6 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
0.8 0.1  
0.55 0.15  
Parameter  
Symbol  
Rating  
−200  
−180  
−6  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
2.54 0.30  
5.08 0.50  
V
1: Base  
1
2
3
V
2: Collector  
3: Emitter  
TO-220D-A1 Package  
Collector current  
Peak collector current  
Collector power  
IC  
ICP  
PC  
−2  
A
−3  
A
25  
W
dissipation  
Ta = 25°C  
2.0  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
VBE  
Conditions  
Min  
−200  
−180  
−6  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Base-emitter voltage  
IC = −50 µA, IE = 0  
IC = −5 mA, IB = 0  
V
IE = −500 µA, IC = 0  
V
VCE = −10 V, IC = −400 mA  
VCB = −200 V, IE = 0  
−1  
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICBO  
−50  
−50  
240  
µA  
µA  
IEBO  
VEB = −4 V, IC = 0  
*
hFE1  
VCE = −10 V, IC = −150 mA  
VCE = −10 V, IC = −400 mA  
60  
50  
hFE2  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = −500 mA, IB = −50 mA  
fT VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz  
−1  
V
30  
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE1  
60 to 140  
100 to 240  
Publication date: July 2004  
SJD00315AED  
1
123

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