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2SA2075

更新时间： 2024-01-03 11:32:48

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	64K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA2075 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	MT-4-A1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SA2075 数据手册

Power Transistors

2SA2075

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

Power supply for Audio & Visual equipments

such as TVs and VCRs

10.0 0.2

5.0 0.1

1.0 0.2

Industrial equipments such as DC-DC converters

■ Features

1.2 0.1

C 1.0

• High-speed switching (t_stg: storage time/t_f: fall time is short)

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Superior forward current transfer ratio h_FElinearity

• Allowing supply with the radial taping (MT-4)

1.48 0.2

2.25 0.2

0.65 0.1

0.35 0.1

0.65 0.1

1.05 0.1

0.55 0.1

2.5 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2 3

1: Base

Parameter

Symbol

Rating

Unit

2: Collector

3: Emitter

MT-4-A1 Package

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−80

Marking Symbol: A2075

Internal Connection

−6

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−3

Peak collector current

−5

T_C= 25°C

T_a= 25°C

Collector power

dissipation

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−80

V_CB= −80 V, I_E= 0

V_CE= −80 V, I_B= 0

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

−100

250

µA



I_CEO

h_FE1

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= −375 mA

−1.0

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= − 0.1 A, f = 10 MHz

100

0.2

0.7

0.1

I_C= −1 A, Resistance loaded

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= −50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: December 2002

SJD00294AED

12 3

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