Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SA2057

2SA2057

更新时间： 2024-01-18 03:39:24

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA2057 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

2SA2057 数据手册

Power Transistors

2SA2057

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

4.6 0.2

Power supply for audio & visual equipments

such as TVs and VCRs

9.9 0.3

2.9 0.2

Industrial equipments such as DC-DC converters

φ 3.2 0.1

■ Features

• High speed switching (t_stg: storage time/t_f: fall time is short)

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Superior forward current transfer ratio h_FElinearity

• TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV

guaranteed

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

0.8 0.1

0.55 0.15

2.54 0.30

5.08 0.50

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

−60

TO-220D-A1 Package

−60

−6

Internal Connection

−3

Peak collector current ^*

Collector power dissipation

T_a= 25°C

I_CP

−6

P_C

2.0

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

Note) : Non-repetitive peak collector current

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−60

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CE= −60 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

−100

−1

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE1

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

120

320

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= − 0.375 A

− 0.5

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.1 A, f = 10 MHz

I_C= −1 A, Resistance loaded

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= 50 V

0.15

0.4

0.30

0.7

Storage time

µs

Fall time

0.10

0.15

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

120 to 250

160 to 320

Publication date: January 2003

SJD00284BED

12 3

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与2SA2057相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA2057P	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
2SA2057Q	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
2SA2058	TOSHIBA	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type	获取价格
2SA2058	KEXIN	Silicon PNP Epitaxial Type	获取价格
2SA2058	TYSEMI	High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A) High-speed switching: tf = 25 ns (typ.	获取价格
2SA2058(TE85L)	TOSHIBA	TRANSISTOR,BJT,PNP,10V V(BR)CEO,1.5A I(C),SOT-346	获取价格

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