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2SA2046

更新时间： 2024-02-25 20:58:05

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描述
SILICON PNP EPITAXIAL PLANER TYPE

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2SA2046 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2046 数据手册

Transistors

2SA2046

Silicon PNP epitaxial planer type

Unit: mm

For DC-DC converter

+0.10

0.40

−0.05

+0.10

0.16

1.45

−0.06

I Features

• Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Mini3-G1 type package, allowing downsizing and thinning of the

equipment and automatic insertion through the tape packing

•

0.95

1.90 0.20

+0.20

2.90

−0.05

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

10°

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

−30

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

−20

1: Base

2: Emitter

3: Collector

−5

EIAJ: SC-59

I_C

−1.5

Mini3-G1 Type Package

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

°C

Marking Symbol: 3Z

T_j

150

T_stg

−55 to +150

Note) : Measure on the ceramic substrate at 15 × 15 × 0.6 mm³

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

Conditions

Min

−30

−20

−5

Typ

Max

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, , I_C= 0

Forward current transfer ratio ^*

Collector to emitter saturation voltage ^*

Collector output capacitance

Transition frequency

V_CE= −2 V, I_C= −100 mA

I_C= −500 mA, I_B= −25 mA

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

160

560

−150

V_CE(sat)

C_ob

−50

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 20 mA

f = 200 MHz

170

MHz

Note) : Pulse measurement

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