生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 0.05 A |
集电极-发射极最大电压: | 150 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 130 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 200 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SA1986 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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2SA1986 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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2SA1986 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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2SA1986 | NJSEMI | Silicon PNP Power Transistor |
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2SA1986 | TOSHIBA | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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2SA1986_06 | TOSHIBA | Power Amplifier Applications |
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