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2SA1890G-S

更新时间： 2024-02-26 08:50:48
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 234K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN

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2SA1890G-S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：170
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SA1890G-S 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SA1890  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-frequency output amplification  
Complementary to 2SC5026  
Unit: mm  
4.5 0.1  
1.6 0.2  
1.5 0.1  
■ Features  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• High collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
• Mini power type package, allowing downsizing of the equiment  
and automatic insertion through the tape packing and he magazne  
packing.  
1
0.4 0.08  
0.4 0.04  
3˚  
■ Absolute Maximum Ratings T= 25°C  
45˚  
3.0 0.15  
Parameter  
ymbol  
VO  
VCEO  
EBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base
Emitter-base voltage (Clctor n)  
Collector current  
−8
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
−80  
V
−5  
V
MiniP3-F1 Package  
−1  
−1.5  
A
Peak collector cuent  
ICP  
A
Collector power dsipation *  
Junction tempeture  
1
W
°C  
°C  
150  
Storge temrature  
−55 to +150  
ote) : circuit board: opper foiarea of 1 cm2 or more, and the  
*
bd thickness of 1.7 mfor thcollector portion  
■ Electrical Characteristcs Ta = 25°C 3°C  
amer  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
IC = −10 µA, IE = 0  
Min  
−80  
−80  
−5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Coge (Emitter open)  
Collectoltage (Base open)  
Emitter-basoltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Forward current transfer ratio  
IC = −1 mA, IB = 0  
V
IE = −10 µA, IC = 0  
V
VCB = −40 V, IE = 0  
− 0.1  
µA  
2
*
hFE1  
hFE2  
VCE = −2 V, IC = −100 mA  
VCE = −2 V, IC = −500 mA  
120  
60  
340  
1
*
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = −500 mA, I= −50 mA  
VBE(sat) IC = −500 mA, IB = −50 mA  
− 0.2 − 0.3  
− 0.85 −1.2  
120  
V
V
1
Base-emitter saturation voltage *  
Transition frequency  
fT  
VCB = −10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
15  
30  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
R
S
hFE1  
120 to 240  
170 to 340  
Publication date: November 2002  
SJC00036CED  
1
123

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