2SA1890

更新时间： 2024-02-25 10:37:13

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	40K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SA1890 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1890 数据手册

Transistor

2SA1890

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SC5026

Unit: mm

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

High collector to emitter voltage V_CEO

45°

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

marking

–80

–5

–1.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

I_C

–1

Collector power dissipation (T_C=25˚C)

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

Marking symbol : 1Z

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

_CB= –40V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

– 0.1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–80

–5

I_C= –1mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –100mA

V_CE= –2V, I_C= –500mA^*2

I_C= –500mA, I_B= –50mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

120

340

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.2

– 0.85

120

– 0.3

–1.2

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

120 ~ 240

170 ~ 340

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