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2SA1816S

更新时间： 2024-01-01 06:31:39

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松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	32K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, 3 PIN

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技术参数
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2SA1816S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	185	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1816S 数据手册

Transistor

2SA1816(Tentative)

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency high breakdown voltage amplification

Unit: mm

4.0±0.2

2.0±0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

0.75 max.

■

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–150

Unit

+0.20

–0.10

0.45

+0.20

0.45

–0.10

(2.5) (2.5)

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

0.7±0.1

–150

–5

–100

˚C

I_C

–50

1:Emitter

2:Collector

3:Base

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

300

T_j

150

NS-B1 Package

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= –100V, I_E= 0

–1

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C= –100µA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

–150

–5

Forward current transfer ratio

h_FE

_CE= –5V, I_C= –10mA

450

–1

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –30mA, I_B= –3mA

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= –10V, I_E= 10mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

V_CE= –10V, I_C= – 1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

200

150

Collector output capacitance

C_ob

Noise voltage

Rank classification

Rank

h_FE

90 ~ 155

130 ~ 220

185 ~ 330

260 ~ 450

160

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1816T	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1	获取价格
2SA1818	ROHM	TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT	获取价格
2SA1818/P	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO	获取价格
2SA1818/PQ	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO	获取价格
2SA1818/PR	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO	获取价格
2SA1818/Q	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO	获取价格