Datasheet > 2SA1739G

2SA1739G

更新时间： 2024-01-22 04:55:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	240K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1739G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1500 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1739G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SA1739

Silicon PNP epitaxial planar type

For high speed switching

Unit: mm

+0.10

–0.05

Complementary to 2SC3938

+0.1

–0.0

0.15

0.3

■ Features

• High speed switching

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

10˚

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−15

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

1: Base

2: Emitter

3: Collector

−15

−4

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

−50

°C

Peak collector current

I_CP

−100

150

Marking Symbol: AX

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

− 0.1

150

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

V_CB= −8 V, I_E= 0

I_EBO

V_CE= −3 V, I_C= 0

h_FE1

V_CE= −1 V, I_C= −10 mA

V_CE= −1 V, I_C= −1 mA

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

− 0.1 − 0.2

MHz

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz 800

V_CB= −5 V, I_E= 0, f = 1 MHz

1 500

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Turn-off time

Storage time

t_on

t_off

t_stg

Refer to the switching time

measurement circuit

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

No-rank

50 to 150

h_FE1

50 to 120

AXQ

90 to 150

AXR

Marking symbol

Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.

Publication date: March 2003

SJC00027BED

12 3

下载PDF

与2SA1739G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1739G-Q	PANASONIC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic	获取价格
2SA1739H	PANASONIC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP	获取价格
2SA1739Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70	获取价格
2SA1739R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70	获取价格
2SA1740	SANYO	High-Voltage Driver Applications	获取价格
2SA1740	UTC	HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1739G

2SA1739G 技术参数

2SA1739G 数据手册

与2SA1739G相关器件

与2SA1739G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1739G

2SA1739G 技术参数

2SA1739G 数据手册

与2SA1739G相关器件

与2SA1739G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？