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2SA1550PY

更新时间： 2024-01-07 18:00:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 180K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, I-TYPE PACKAGE-4

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2SA1550PY 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：130JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SA1550PY 数据手册

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Power Transistors  
2SA1550  
Silicon PNP triple diffusion planar type  
Unit: mm  
7.0±0.3  
3.0±0.2  
3.5±0.2  
For power switching  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
1.1±0.1  
0.85±0.1  
0.4±0.1  
●
0.75±0.1  
●
High-speed switching  
●
High collector to base voltage VCBO  
.2  
●
I type package enabling direct soldering of the raiating in to  
the printed circuit board, etc. of small electronic eipment.  
4.6±0.4  
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
I Type Package  
Absolute Maximum Ratings (T =2˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
VCBO  
V
IC
ating
–40
–400  
–7  
Unit  
V
Unit: mm  
7.0±0.3  
3.5±0.2  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
2.0±0.2  
3.0±0.2  
0 to 0.15  
V
–1.0  
A
IC  
– 0.5  
5  
A
2.5  
Collector ower TC=25°C  
0.75±0.1  
0.5 max.  
0.9±0
1.1±0.1  
PC  
W
0 to 0.15  
dissipation  
Ta25°C  
1.3  
1
3
Junctiomperaure  
Storge teature  
Tj  
0  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collect
Tstg  
to +150  
2.3±0.2  
3:Emitter  
40.4  
I Type Package (Y)  
Eectrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Paramter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
mn  
typ  
max  
–100  
–100  
Unit  
µA  
µA  
V
Collecurre
Ent  
CB = –400V, IE = 0  
IO  
VEB = –7V, IC = 0  
Collecvoltage  
VCEO  
IC = –10mA, IB = 0  
VCE = –5V, IC = –50mA  
–400  
80  
*
hFE1  
280  
Forward currnt transfer ratio  
hFE2  
V
CE = –5V, IC = –300mA  
10  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –200mA, IB = –40mA  
IC = –200mA, IB = –40mA  
VCE = –10V, IC = –100mA, f = 1MHz  
IC = –300mA,  
–1.5  
–1.5  
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
20  
0.25  
2.0  
MHz  
µs  
IB1 = –60mA, IB2 = 60mA,  
VCC = –200V  
µs  
0.5  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
80 to 160  
130 to 280  
1
1234

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