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2SA1500

更新时间： 2024-01-23 19:31:42

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松下 - PANASONIC		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-46, 3 PIN

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2SA1500 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-46
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1500 数据手册

Power Transistors

2SA1500

Silicon PNP epitaxial planar type

For power switching

Unit: mm

10.5±0.5

4.5±0.2

Features

High-speed switching

High collector to base voltage V_CBO

■

9.5±0.2

8.0±0.2

1.4±0.1

●

Wide area of safe operation (ASO)

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

φ3.7±0.2

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1.4±0.1

2.5±0.2

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

0.8±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–400

+0.1

0.6 –0.2

2.54±0.3

5.08±0.5

–7

–8

1:Base

2:Collector

I_C

–5

Collector power T_C=25°C

3:Emitter

P_C

JEDEC:TO–220(a)

EIAJ:SC–46(a)

dissipation

Ta=25°C

1.4

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= –400V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= –7V, I_C= 0

I_C= –10mA, I_B= 0

Collector to emitter voltage

V_CEO

–400

h_FE1

_CE= –5V, I_C= – 0.5A

100

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –5V, I_C= –2A

I_C= –2A, I_B= – 0.4A

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 1MHz

I_C= –2A,

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

–1.0

–1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

1.0

2.5

1.0

I_B1= – 0.4A, I_B2= 0.4A,

V_CC= –100V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

20 to 60

50 to 100

12 3

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