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2SA1309AR

更新时间： 2024-01-04 14:38:07

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, S TYPE PACKAGE-3

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技术参数
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2SA1309AR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	210
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1309AR 数据手册

Transistor

2SA1309A

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency amplification

Complementary to 2SC3311A

Unit: mm

4.0±0.2

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

Allowing supply with the radial taping.

Optimum for high-density mounting.

marking

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–60

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1.27 1.27

–50

2.54±0.15

–7

–200

–100

300

˚C

1:Emitter

2:Collector

3:Base

I_C

EIAJ:SC–72

New S Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–1

Unit

µA

V_CB= –10V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= –10V, I_B= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–60

–50

–7

_C= –2mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –10V, I_C= –2mA

160

460

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

_C= –50mA, I_B= –5mA

– 0.3

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector output capacitance

C_ob

3.5

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

160 ~ 260

210 ~ 340

290 ~ 460

12 3

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