2SA1123

更新时间： 2024-01-17 11:53:56

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2页	39K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SA1123 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	260	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

2SA1123 数据手册

Transistor

2SA1123

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency high breakdown voltage amplification

Complementary to 2SC2631

Unit: mm

4.0±0.2

5.0±0.2

Features

■

●

Satisfactory foward current transfer ratio h_FEcollector current I_C

characteristics.

●

High collector to emitter voltage V_CEO

●

Small collector output capacitance C_ob.

Makes up a complementary pair with 2SC2631, which is opti-

mum for the pre-driver stage of a 20 to 40W output amplifier.

0.45–⁺0⁰.^.1²

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

1.27

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–150

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1 2 3

1:Emitter

–150

2:Collector

3:Base

JEDEC:TO–92

EIAJ:SC–43A

–5

2.54±0.15

–100

˚C

I_C

–50

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

750

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= –100V, I_E= 0

_C= –0.1mA, I_B= 0

–1

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CEO

V_EBO

–150

–5

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –5V, I_C= –10mA

130

450

–1

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –30mA, I_B= –3mA

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= –10V, I_E= 10mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

200

150

Collector output capacitance

C_ob

V_CE= –10V, I_C= –1mA, G_V= 80dB

Noise voltage

300

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

130 ~ 220

185 ~ 330

260 ~ 450

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1123R	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
2SA1123S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SA1123T	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SA1124	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planer type	获取价格
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