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2SA1062

更新时间: 2024-02-16 20:32:49
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 93K
描述
SILICON EPITAXAL BASE LESA TRANSISTOR

2SA1062 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):80 W
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

2SA1062 数据手册

 浏览型号2SA1062的Datasheet PDF文件第2页 

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