2SA0900

更新时间： 2024-01-29 11:12:51

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
For low-frequency Power amplification Complementary

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2SA0900 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	TO-126B-A1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SA0900 数据手册

Power Transistors

2SA0900 (2SA900)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.5

–0.1

8.0

3.2 0.2

For low-frequency Power amplification

Complementary to 2SC1868

φ 3.16 ^0.1

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• TO-126B package which requires no insulation plate for installa-

tion to the heat sink

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

0.5 0.1

1.76 0.1

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−20

−18

1: Emitter

2: Collector

3: Base

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−1

−2

TO-126B-A1 Package

Peak collector current

1.2

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−20

−18

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −10 V, I_E= 0

V_CE= −18 V, I_B= 0

V_CE= −2 V, I_C= −500 mA

V_CE= −2 V, I_C= −1.5 A

−1

µA



I_CEO

−10

280

h_FE1

130

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −1 A, I_B= −50 mA

− 0.5

−1.2

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

f_T

V_CB= −6 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −6 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

130 to 210

180 to 280

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: April 2003

SJD00004BED

12 3

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2SA0900(2SA900)	ETC	パワーデバイス－パワートランジスタ－その他	获取价格
2SA0900\|2SA900	ETC	Power Device - Power Transistors - Others	获取价格
2SA0900R	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
2SA0914	PANASONIC	For audio system/pli drive	获取价格
2SA0914(2SA914)	ETC	パワーデバイス－パワートランジスタ－その他	获取价格
2SA0914\|2SA914	ETC	Power Device - Power Transistors - Others	获取价格

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