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2PG351

更新时间： 2024-02-21 10:20:43

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松下 - PANASONIC		通用开关栅晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	173K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, IPAK-3

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2PG351 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	550 ns	标称接通时间 (ton)：	35 ns
Base Number Matches：	1

2PG351 数据手册

IGBTs

2PG351

InsulatedGateBipolarTransistor

Unit : mm

■ Features

7.0±0.3

3.0±0.2

3.5±0.2

●

High breakdown voltage : V_CES= 400V

Large current control possible : I_C(peak)=130A

Housing in the surface mounting package possible

■ Applications

1.1±0.1

0.85±0.1

0.4±0.1

●

For camera flash-light

0.75±0.1

2.3±0.2

4.6±0.4

■ Absolute Maximum Ratings (Tc = 25˚C)

Parameter

Collector-Emitter voltage

Gate-Emitter voltage

Unit

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Rating

1 : Gate

2 : Collector

3 : Emitter

400

±16

I Type Package

130

Collector current

Pulse

I_CP

T_C= 25˚C

Ta= 25˚C

Allowable power

dissipation

P_C

1.3

Channel temperature

Storage temperature

˚C

T_ch

150

T_stg

– 55 to +150

■ Electrical Characteristics (Tc = 25˚C)

Parameter

Symbol

I_CES

Condition

Min

Typ

2.2

Max

Unit

µA

Collector-Emitter cut-off current

Gate-Emitter leakage current

Collector-Emitter breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_CE= 320V, V_GE= 0

±1

I_GES

V_GE= ± 12V, V_CE= 0

I_C=1mA, V_GE= 0

V_CES

V_GE(th)

400

V_CE=10V, I_C=1mA

V_GE= 12V, I_C= 5A

Collector-Emitter saturation

voltage

V_CE(sat)

V_GE= 12V, I_C=130A

V_CE=10V, V_GE= 0, f=1MHz

Input capacitance

Turn-on time (delay time)

Rise time

C_ies

t_d(on)

t_r

1950

µs

_CC= 300V, I_C=130A

550

150

1.0

Turn-off time (delay time)

Fall time

t_d(off)

t_f

V_GE= 12V, R_g= 25Ω

12 3

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