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2PG002

更新时间： 2024-01-01 02:58:13

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松下 - PANASONIC		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	292K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 410V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

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2PG002 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	410 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Bismuth/Copper (Sn/Ag/Bi/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	390 ns
标称接通时间 (ton)：	486 ns	Base Number Matches：	1

2PG002 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

IGBT

2PG002

N-channel enhancement mode IGBT

For plasma display panel drive

For high speed switching circuits

 Package

 Features

ꢀCode

 Low collector-emitter saturation voltage: V_CE(sat)<2.4 V

 High speed hall time: t_f= 190 nsec(typ.)

TO-220F-A1

ꢀMarking Symbol: 2PG002

 Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

ꢀPin Name

1. Gate

Parameter

Collector-emitter voltage (E-B short)

Gate-emitter voltage (E-B short)

Collector current

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Rating

410

Unit

2. Collector

3. Emitter

±30

 Internal Connection

Peak collector current ^*

I_CP

160

°C

Power dissipation

P_C

T_j

T = 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

150

stg

–55 to +150

Note) : PW ≤ 10 us, Duty ≤ 1.0%

 Electrical Characteristics T_C= 25°C±3°C

Parameter

Collector-emitter voltage (E-B short)

Collector-emitter cutoff current (E-B short)

Gate-emitter cutoff current (E-B short)

Gate-emitter threshold voltage

Collector-emitter saturation voltage

Short-circuit input capacitance (Common emitter)

Short-circuit output capacitance (Common emitter)

Reverse transfer capacitance (Common emitter)

Gate charge load

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CES

I_CES

I_GES

I_C= 1 mA, V_GE= 0

V_CE= 328 V, V_GE= 0

V_GE= ±30 V, V_CE= 0

410

±1.0

5.5

V_GE(th)V_CE= 10 V, I_C= 1.0 mA

V_CE(sat)V_GE= 15 V, I_C= 40A

C_ies

3.0

1.9

1200

150

2.4

C_oes

C_res

Q_g

V_CE= 25 V, V_GE= 0, f = 1 MHz

Gate-emitter charge

Q_ge

Q_gc

t_d(on)

t_r

V_CC= 200 V, I_C= 40A, V_GE= 15 V

Gate-collector charge

Turn-on delay time

Rise time

390

200

190

V_CC= 200 V, I_C= 40A,

RL ≈ 5 Ω, V_GE= 15 V

Turn-off delay time

t_d(off)

t_f

Fall time

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date : June 2007

SJN00004AED

12 3

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