是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | STSOP1-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.25 mm |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 1.8 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.016 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N02L83W2AN5IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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N02L83W2AT25I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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N02L83W2AT25IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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N02L83W2AT5I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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N02L83W2AT5IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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N02M0818L1A | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 256Kx8 bit |
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