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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | LSSOP, TSOP44,.46,32 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.52 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LSSOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.5/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.25 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 1.8 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.016 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N02L63W3AT5I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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| N02L63W3AT5IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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| N02L83W2A | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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| N02L83W2AN25I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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| N02L83W2AN25IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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| N02L83W2AN5I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 25 |
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