是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | LSSOP, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.55 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LSSOP | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.25 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 1.8 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.016 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N02L63W3A | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W3AB25I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W3AB25IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W3AB5I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W3AB5IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W3AT25I | ONSEMI | IC,SRAM,128KX16,CMOS,TSOP,44PIN,PLASTIC |
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