是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LFBGA, BGA48,6X8,30 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.55 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.34 mm |
最小待机电流: | 1.8 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.016 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N02L63W2AB25IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AB5I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AB5IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AT25I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AT25IT | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N02L63W2AT5I | ONSEMI | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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