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N02L6181AB27I

更新时间： 2024-01-29 09:31:40

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	215K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit

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N02L6181AB27I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 8 MM, GREEN, BGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8/2 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.34 mm	最大待机电流：	0.000005 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.017 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

N02L6181AB27I 数据手册

N02L6181A

2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

128Kx16 bit

Features

• Single Wide Power Supply Range

1.65 to 2.2 Volts

Overview

• Very low standby current

The N02L6181A is an integrated memory device

containing a 2 Mbit Static Random Access Memory

organized as 131,072 words by 16 bits. The device

is designed and fabricated using ON

0.5µA at 1.8V (Typical)

• Very low operating current

1.4mA at 1.8V and 1µs (Typical)

Semiconductor’s advanced CMOS technology to

provide both high-speed performance and ultra-low

power. The base design is the same as ON

• Very low Page Mode operating current

0.5mA at 1.8V and 1µs (Typical)

• Simple memory control

Semiconductor’s N02L63W3A, which is processed

to operate at higher voltages. The device operates

with a single chip enable (CE) control and output

enable (OE) to allow for easy memory expansion.

Byte controls (UB and LB) allow the upper and

lower bytes to be accessed independently. The

N02L6181A is optimal for various applications

where low-power is critical such as battery backup

and hand-held devices. The device can operate

Single Chip Enable (CE)

Byte control for independent byte operation

Output Enable (OE) for memory expansion

• Low voltage data retention

Vcc = 1.2V

• Very fast output enable access time

30ns OE access time

• Automatic power down to standby mode

• TTL compatible three-state output driver

• Compact space saving BGA package

over a very wide temperature range of -40 C to

+85 C and is available in JEDEC standard

packages compatible with other standard 128Kb x

16 SRAMs.

Product Family

Standby

Power

Supply

(Vcc)

Operating

Current (Icc),

Max

Operating

Current (I_SB),

Part Number

Package Type

Speed

Temperature

Max

N02L6181AB

N02L6181AB2

48 - BGA

70 and 85ns

@ 1.65V

-40^oC to +85^oC

1.65V - 2.2V

10 µA

3 mA @ 1MHz

Green 48-BGA

July 2008 - Rev. 4

Publication Order Number:

N02L6181A/D

12 3 4 5 6 7...11

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