是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | GREEN, TSOP1-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.51 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.25 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 1.8 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.014 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N01L83W2AT25IT | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N01L83W2AT5I | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N01L83W2AT5IT | ONSEMI | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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N01M0818L1A | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 128Kx8 bit |
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N01M0818L1AD | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 128Kx8 bit |
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N01M0818L1AN | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 128Kx8 bit |
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