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MJD112-1 PDF预览

MJD112-1

更新时间： 2024-01-30 03:47:52
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 305K
描述
2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, 3 PIN

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MJD112-1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.77
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=225677PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=225677
Samacsys PartID：225677Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/MJD112-1G.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MJD112-1G.jpgSamacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369CSamacsys Released Date：2016-01-25 14:39:57
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：25 MHz
Base Number Matches：1

MJD112-1 数据手册

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by MJD112/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DPAK For Surface Mount Applications  
*Motorola Preferred Device  
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages  
in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
2 AMPERES  
•
•
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)  
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
Surface Mount Replacements for TIP110–TIP117 Series  
Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
100 VOLTS  
20 WATTS  
High DC Current Gain — h  
Complementary Pairs Simplifies Designs  
= 2500 (Typ) @ I = 2.0 Adc  
FE  
C
MAXIMUM RATINGS  
MJD112  
MJD117  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CASE 369A–13  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
100  
100  
5
V
CB  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
2
4
Base Current  
I
B
50  
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
20  
0.16  
Watts  
W/ C  
CASE 369–07  
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.75  
0.014  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
R
R
C/W  
C/W  
θJC  
θJA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
100  
—
—
20  
20  
2
Vdc  
µAdc  
µAdc  
mAdc  
CEO(sus)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 50 Vdc, I = 0)  
I
CEO  
CBO  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 100 Vdc, I = 0)  
B
I
—
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
inches  
mm  
BE  
* These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.  
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%. (continued)  
C
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
123456

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