2N5686

更新时间： 2024-01-25 14:23:29

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	134K
描述
High-Current Complementary Silicon Power Transistors

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2N5686 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	BFM	包装说明：	LEAD FREE, CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	2 weeks
风险等级：	1.22	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
Base Number Matches：	1

2N5686 数据手册

ON Semiconductort

PNP

High-Current Complementary

Silicon Power Transistors

2N5684

NPN

2N5686

. . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit

applications.

• High Current Capability –

I Continuous = 50 Amperes.

50 AMPERE

COMPLEMENTARY

SILICON

POWER TRANSISTORS

60–80 VOLTS

• DC Current Gain –

= 15–60 @ I = 25 Adc

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –

= 1.0 Vdc (Max) @ I = 25 Adc

CE(sat)

300 WATTS

MAXIMUM RATINGS (1)

2N5684

2N5686

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current – Continuous

Base Current

Symbol

Unit

Vdc

Adc

CEO

5.0

CASE 197A–05

TO–204AE

Total Device Dissipation @ T = 25_C

300

1.715

Watts

W/_C

Derate above 25_C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS (1)

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

(1) Indicates JEDEC Registered Data.

0.584

_C/W

300

250

200

150

100

80 100 120 140 160 180 200

TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

May, 2001 – Rev. 10

2N5684/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5686G	ONSEMI	High-Current Complementary Silicon Power Transistors	获取价格
2N5687	DIGITRON	TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-39	获取价格
2N5688	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-117	获取价格
2N5716	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 50UA I(DSS) \| TO-92	获取价格
2N5717	NSC	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,200UA I(DSS),TO-92	获取价格
2N5718	NSC	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,800UA I(DSS),TO-92	获取价格