是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 最大集电极电流 (IC): | 4 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 7 | JEDEC-95代码: | TO-126 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 2 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5195_00 | STMICROELECTRONICS | MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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2N5195A | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 Box |
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2N5195G | ONSEMI | Silicon PNP Power Transistors |
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2N5195LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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2N5196 | VISHAY | Monolithic N-Channel JFET Duals |
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2N5196 | INTERSIL | N-CHANNEL JFET |
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