2N4922

更新时间： 2024-01-06 06:24:22

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
8页	110K
描述
1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS

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2N4922 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	100 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

2N4922 数据手册

ON Semiconductor⁾

2N4921

thru

Medium-Power Plastic NPN

Silicon Transistors

2N4923

. . . designed for driver circuits, switching, and amplifier

applications. These high–performance plastic devices feature:

*ON Semiconductor Preferred Device

1 AMPERE

GENERAL–PURPOSE

POWER TRANSISTORS

40–80 VOLTS

• Low Saturation Voltage —

= 0.6 Vdc (Max) @ I = 1.0 Amp

CE(sat)

• Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction —

= 30 W @ T = 25_C

30 WATTS

• Excellent Safe Operating Area

• Gain Specified to I = 1.0 Amp

• Complement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920

*MAXIMUM RATINGS

STYLE 1:

Rating

Symbol 2N4921 2N4922 2N4923

Unit

Vdc

Adc

PIN 1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CASE 77–09

TO–225AA TYPE

5.0

Collector Current — Continuous (1)

1.0

3.0

Base Current — Continuous

1.0

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25_C

0.24

Watts

W/_C

Derate above 25_C

Operating & Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–65 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS (2)

Characteristic

Symbol

Max

4.16

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

_C/W

(1) The 1.0 Amp maximum I value is based upon JEDEC current gain requirements.

The 3.0 Amp maximum value is based upon actual current handling capability of the

device (see Figures 5 and 6).

(2) Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.

*Indicates JEDEC Registered Data.

Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2002

Publication Order Number:

April, 2002 – Rev. 10

2N4921/D

12 3 4 5 6 7 8

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