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NS41256S20J/883

更新时间： 2024-01-31 18:44:12

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	58K
描述
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28, Static RAM

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技术参数
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NS41256S20J/883 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP28,.6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.62	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-GDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	37.08 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.72 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

NS41256S20J/883 数据手册

MICROCIRCUIT DATA SHEET

Original Creation Date: 11/28/95

Last Update Date: 02/05/97

MNNS41256S20-X REV 0A0

Last Major Revision Date: 11/28/95

256K Static RAM (32K x 8 bit)

General Description

NS41256S20 is a high performance, standard power version CMOS static RAM organized as

32,768 X 8 bits with 20nS address to access time. The NS41256 operates from a single +5V

power supply and all the inputs and outputs are fully TTL compatible.

Industry Part Number

NS Part Numbers

NS41256S20

NS41256S20E/883

NS41256S20J/883

Prime Die

PDM41256V

Processing

Subgrp Description

Temp (^oC)

MIL-STD-883, Method 5004

Static tests at

+25

Static tests at

+125

-55

Static tests at

Dynamic tests at

Functional tests at

Switching tests at

+25

Quality Conformance Inspection

+125

-55

MIL-STD-883, Method 5005

+25

+125

-55

+25

+125

-55

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与NS41256S20J/883相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NS41256S20J-SMD	TI	IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC	获取价格
NS41256S35E/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	获取价格
NS41256S45E/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	获取价格
NS41256S45J/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28	获取价格
NS420	HUTSON	Silicon Controlled Rectifier, 20A I(T)RMS, 20000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
NS4202SCT	MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, TO-258AA, TO-258,	获取价格